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Micro-LED三种驱动方法比照，哪种更具优势 ？
Micro-LED是电流驱动型发光器件，其驱动方法一样平常只有两种模式：无源选址驱动（PM：Passive Matrix，又称无源寻址、被动寻址、无源驱动等等）与有源选址驱动（AM：Active Matrix，又称有源寻址、自动寻址、有源驱动等），此文还延伸有源驱动的另一种“半有源”驱动。这几种模式具有差别的驱动原理与应用特色，下面将通过电路图来详细先容其原理。
什么是PM驱动模式 ？
无源选址驱动模式把阵列中每一列的LED像素的阳极（P-electrode）毗连到列扫描线（Data Current Source），同时把每一行的LED像素的阴极（N-electrode）毗连到行扫描线（Scan Line）。当某一特定的第Y列扫描线和第X行扫描线被选通的时间，其交织点（X，Y）的LED像素即会被点亮。整个屏幕以这种方法举行高速逐点扫描即可实现显示画面，如图1所示。
这种扫描方法结构简朴，较为容易实现。
但缺乏之处是连线重大（需要X+Y根连线），寄生电阻电容大导致效率低，像素发光时间短（1场/XY）从而导致有用亮度低，像素之间容易串扰，并且对扫描信号的频率需求较高。
另外一种优化的无源选址驱动方法是在列扫描部分加入锁存器，其作用是把某一时刻第X行所有像素的列扫描信号（Y1， Y2… … Yn）提前存储在锁存器中。当第X行被选通后，上述的Y1-Yn信号同时加载到像素上[3]。这种驱动方法可以降低列驱动信号频率，增添显示画面的亮度和质量。但仍然无法战胜无源选址驱动方法的天生缺陷：连线庞杂，易串扰，像素选通讯号无法生涯等。而有源选址驱动方法为上述难题提供了优异的解决计划。
什么是AM驱动模式 ？
在有源选址驱动电路中，每个Micro-LED像素有其对应的自力驱动电路，驱动电流由驱动晶体管提供�；镜挠性淳卣笄缏肺骞艿サ缛荩�2T1C：2 Transistor 1 Capacitor）电路，如图2所示。
每个像素电路中使用至少两个晶体管来控制输出电流，T1为选通晶体管，用来控制像素电路的开或关。T2是驱动个晶体管，与电压源联通并在一�。‵rame）的时间内为Micro-LED提供稳固的电流。该电路中尚有一个存储电容C1来贮存数据信号（Vdata）。当该像素单位的扫描信号脉冲竣事后，存储电容仍能坚持驱动晶体管T2栅极的电压，从而为Micro-LED像素源源一直的驱动电流，直到这个Frame竣事。
2T1C驱动电路只是有源选址Micro-LED的一种基本像素电路结构，它结构较为简朴并易于实现。但由于其实质是电压控制电流源（VCCS），而Micro-LED像素是电流型器件，以是在显示灰度的控制方面会带来一定的难度，这一点我们在后面的《Micro-LED的彩色化与灰阶》部分中会讨论。刘召军博士课题组曾提出一种4T2C的电流比例型Micro-LED像素电路，接纳电流控制电流源（CCCS）的方法，在实现灰阶方面具有优势。
什么是“半有源”选址驱动方法
另外需要提及的是一种 “半有源”选址驱动方法[6]。这种驱动方法接纳单晶体管作为Micro-LED像素的驱动电路（如图3所示），从而可以较好地阻止像素之间的串扰征象。
三大驱动方法比照
与无源选址相比，有源选址方法有着显着的优势，越发适用于Micro-LED这种电流驱动型发光器件。现详细剖析如下：
①有源选址的驱动能力更强，可实现更大面积的驱动。而无源选址的驱动能力受外部集成电路驱动性能的影响，驱动面积于区分率受限制。
② 有源选址有更好的亮度匀称性和比照度。在无源选址方法中，由于外部驱动集成电路驱动能力的有限，每个像素的亮度受这一列亮起像素的个数影响。一样平常来说，统一列的Micro-LED像素共享外部驱动集成电路的一个或多个输出引脚的驱动电流。以是，当两列中亮起的像素个数纷歧样的时，施加到每个LED像素上的驱动电流将会纷歧样，差别列的亮度就会差别很大。这个问题将会越发严重地体现在大面积显示应用中，如LED电视与LED大屏幕等。同时随着行数和列数的增添，这个问题也会变得更严肃。
③ 有源选址可实现低功耗高效率。大面积显示应用需要较量大的像素密度，因此就必需尽可能减小电极尺寸，而驱动显示屏所需的电压也会极大的上升，大宗的功率将消耗在行和列的扫描线上，从而导致效率低下。
④ 高自力可控性。无源选址中，较高的驱动电压也会带来第二个贫困，即串扰，也就是说，在无源选址LED阵列中，驱动电流理论上只从选定的LED像素通过，但周围的其他像素将会被电流脉冲影响，终也会降低显示质量。有源选址方法则通过由选通晶体管和驱动晶体管组成的像素电路很好的阻止了这种征象。
⑤更高的区分率。有源选址驱动的更适用于高PPI高区分率的Micro-LED显示。
而第三种“半有源”驱动虽然可以较好地阻止像素之间的串扰征象，可是由于其像素电路中没有存储电容，并且每一列的驱动电流信号需要单独调制，并不可完全抵达上面列出的有源选址驱动方法的所有优势。
以蓝宝石衬底上外延生长的蓝光Micro-LED为例，像素和驱动晶体管T2的毗连方法有图4所示的4种。但由于LED外延生长结构是p型氮化镓（GaN）在外貌而n型氮化镓在底层，如图5所示。从制备工艺角度出发驱动晶体管的输出端与Micro-LED像素的p电极毗连较为合理，即图4中的（a）和（c）。
图4（a）中Micro-LED像素毗连在N型驱动晶体管的源极（Source）。由外延生长（Epitaxial Growth）、制备工艺、及器件老化所爆发的不匀称性所导致的Micro-LED电学特征的不匀称性将会直接影响驱动晶体管的VGS，从而造成显示图像的不匀称。而图4（c）中的Micro-LED像素毗连在P型驱动晶体管的漏极（Drain），可以阻止上述影响，其电流-电压关系图6所示。因此，有P管像素电路驱动Micro-LED较为相宜。
